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化改并且探索了三种卤化钙钛矿(MAPbX3;X=Cl,Br,I)材料作为阻变层对Re-RAMs器件性能的影响。再加上大大提高的可扩展性和易于制造的工艺，纵深新的Re-RAM系统在未来的高性能计算，智能电子系统中可能会有重要的应用。

文献链接：发展Three-dimensionalperovskitenanowirearray–basedultrafastresistiveRAMwithultralongdataretention.Sci.Adv.2021,doi:10.1126/sciadv.abg3788.团队介绍：发展范智勇教授为香港科技大学电子与计算机工程系正教授博导，香港科大智能传感器与环境技术中心主任，材料表征中心副主任，粤港澳智能微纳光电技术联合实验室副主任，科技部先进显示与光电子技术国家重点实验室核心成员。

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